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SI4435FDY-T1-GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SI4435FDY-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC |
제조업체 표준 리드 타임 | 19주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | P채널 30 V 12.6A(Tc) 4.8W(Tc) 표면 실장 8-SOIC |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SI4435FDY-T1-GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 9A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±20V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 4.8W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
수량 | 단가 | 총액 |
---|---|---|
1 | ₩707.00000 | ₩707 |
10 | ₩530.40000 | ₩5,304 |
100 | ₩339.31000 | ₩33,931 |
500 | ₩256.43000 | ₩128,215 |
1,000 | ₩222.76800 | ₩222,768 |
수량 | 단가 | 총액 |
---|---|---|
2,500 | ₩188.61320 | ₩471,533 |
5,000 | ₩176.72920 | ₩883,646 |
7,500 | ₩170.78973 | ₩1,280,923 |
12,500 | ₩163.27944 | ₩2,040,993 |
17,500 | ₩157.18994 | ₩2,750,824 |
25,000 | ₩151.26952 | ₩3,781,738 |
62,500 | ₩149.14904 | ₩9,321,815 |