Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1754 KRW
Availability: OutOfStock

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유사

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단가 : ₩1,994.00000

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RS1E200GNTB
DigiKey 제품 번호	RS1E200GNTBTR-ND - 테이프 및 릴(TR) RS1E200GNTBCT-ND - 컷 테이프(CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RS1E200GNTB
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
제조업체 표준 리드 타임	21주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 20A(Ta), 57A(Tc) 3W(Ta), 25W(Tc) 표면 실장 8-HSOP
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RS1E200GNTB 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	20A(Ta), 57A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	4.6m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1080 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3W(Ta), 25W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-HSOP
패키지/케이스	8-PowerTDFN
기준 제품 번호	RS1E